Device and method for vapor processing



【課題】ポリシリコンTFTやSiO 2 ゲート絶縁膜等を高圧下で容易に蒸気処理することができる蒸気処理装置及び蒸気処理方法を提供する。 【解決手段】所定の圧力Pで被処理物21を処理するための圧力容器11と、圧力容器11内を温度の異なる少なくとも2つの温度領域に制御するための温度制御手段12とを備えるものであって、圧力容器11が、所定の温度T1に設定されて所定の蒸気圧Pの下で被処理物21を処理するための第1領域13と、第1領域13よりも低い温度T2に設定されて前記蒸気圧Pと同じ圧力Pの下で飽和蒸気を発生させるための第2領域14とを有するように構成して、上記課題を解決した。 【選択図】図1
<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vapor processing device and a vapor processing method for carrying out vapor process of polysilicon TFT, SiO<SB>2</SB>gate insulating film and the like easily under high pressure. <P>SOLUTION: The vapor processing device is provided with a pressure container 11 for processing a processing material 21 under predetermined pressure P, and a temperature control means 12 for separating the inside of the pressure container 11 under control into at lest two different temperature regions. The pressure container 11 has a first region 13 set at a predetermined temperature T1 for processing the processing material 21 under predetermined vapor pressure P, and a second region 14 set at a predetermined temperature T2 lower than that of the first region 13 for generating saturation vapor under pressure P equal to the vapor pressure P so that the above mentioned subject is solved. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT




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