Polishing device

研磨装置

Abstract

【課題】基板研磨中でも研磨定盤の研磨面を最適な状態に保つことができ、研磨面の削れが進んでも研磨面の面形状が変化しないで、且つ基板研磨中に研磨面の温度上昇を抑制し高い研磨レートの研磨が可能で、更に研磨定盤の研磨パッドを交換した後に、研磨パッドを実使用状態に速やかに近づけることができる研磨装置。 【解決手段】研磨定盤10と、基板保持機構12、ドレッサー30を備え、基板保持機構12で保持した研磨対象基板Wを研磨定盤10の研磨面に接触押圧して、研磨する研磨装置であって、ドレッサー30は第1ドレッシング部31と第2ドレッシング部32を備え、第1ドレッシング部31は研磨対象基板Wよりも大きい円形状で、第2ドレッシング部32は第1ドレッシング部31の周りを囲む形状大きさであり、第1ドレッシング部31と第2ドレッシング部32が互いに独立して研磨面に接触できる。 【選択図】図1
<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polishing device capable of keeping a polishing surface of a polishing surface plate in an optimum state, even while polishing a substrate, performing polishing of a high polishing rate by suppressing a temperature rise of the polishing surface while polishing the substrate without a change of a surface shape of the polishing surface, even if grinding of the polishing surface proceeds, and quickly making a polishing pad of the polishing surface plate close to an actual use state after replacing the polishing pad. <P>SOLUTION: This polishing device is provided with the polishing surface plate 10, a substrate holding mechanism 12 and a dresser 30 to polish the polishing object substrate W held by the substrate holding mechanism 12 by bringing the substrate W into contact-press with the polishing surface of the polishing surface plate 10. The dresser 30 is provided with a first dressing part 31 and a second dressing part 32. The first dressing part 31 has a larger circular shape than the polishing object substrate W. The second dressing part 32 has shape and size to surround the surrounding of the first dressing part 31. The first dressing part 31 and the second dressing part 32 are mutually independent to be in contact with the polishing surface. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

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